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国产芯片的又一跨越,中芯国际14纳米制程良品率达95%

2018-06-18 15:39:13  来源:微博  作者:产业人
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  中兴被制裁是国人心中之痛,“中国芯”已经上升到了国家战略和国家安全的地步。近日有消息表明:中芯国际在14纳米FinFET 制程上已经取得重大进展,试产的芯片良品率已达95% 。

  

  中芯国际曾在年初宣布,将联同两大政府产业基金共同投资 102.4 亿美元,以加快 14 纳米及以下先进制程研发和量产计划,最终达成每月量产 3.5 万片的目标。如今,在中芯国际的 14 纳米 FinFET 制程达到良率 95% 的情况下,等于是向目标又迈进了一大步。

  目前中芯国际在芯片生产上使用的最先进制程为 28 纳米。相较联电、英特尔等制程发展较慢的厂商落后一个世代以上。更是较三星、台积电等已经准备切入7纳米制程的企业落后3个产品世代以上。

  

  台积电前董事长张忠谋本月14日曾表示,大陆半导体产业未来10年会快速发展,目前和台积电的技术差距大约还有5至7年。

  

中芯国际的技术飞跃同这个人有关

 

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  而为了追赶这样的落差,中芯国际在 2017 年底将三星电子的梁孟松担任联席首席CEO的职务。希望借由他过去的成功经验,指导中芯国际在发展 14 纳米 FinFET 制程上的进程上早日突破并完成2019的量产目标。

  被称为“半导体狂人”的梁孟松加入中芯国际被业界称为“对中国半导体行业具有划时代的意义”。

  他拥有加州大学柏克莱分校电机博士学位,毕业后曾在美国处理器大厂AMD工作几年,在四十岁那年(一九九二年)返回台积电。他在台积电的十七年间,参与的都是最重要先进工艺的技术研发,可谓战功彪炳。

  

  “半导体狂人”梁孟松的传奇(台媒整理)

  2008年,因为感到在台积电不受重用,梁孟松跳槽三星电子担任研发部总经理,也是三星晶圆代工的执行副总。鉴于三星在20nm制程的落后地位,他顶着企业内部巨大压力毅然决定放弃20nm直接由28nm制程升级14nm,结果三星在14nm制程上领先台积电半年时间实现量产。

  这意味着,台积电累积二十多年、以数千亿台币研发经费打造的技术优势,已在一夕之间被抹平了。三星凭此拿下了苹果A9处理器的巨额订单,当时不可一世的台积电遭到重创。当时业界人士都形容梁孟松以一人之力,能左右两国半导体业的消长,是台湾头号叛将。​​​​

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